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NJW21193G中文资料

NJW21193G图片

NJW21193G外观图

  • 大小：95.93KB
  • 厂家：ONSEMI [ON Semiconductor]
  • 描述：Silicon Power Transistors
  • 标准包装：30
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：16A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：250V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：4V @ 3.2A，16A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：100µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：20 @ 8A，5V
  • 功率 - 最大：200W
  • 频率 - 转换：4MHz
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
  • 供应商设备封装：TO-3P
  • 包装：管件
  • 其它名称：NJW21193G-NDNJW21193GOS

NJW21193G供应商

更新时间:2023-01-18 03:59:24
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